5.1.2 이동도 효과 드리프트 전류밀도 공식인 $J_{drift} = QNv_{d} [A/cm^{2}$ 을 이전 장을 통해 알게되었다. $v_{d}$는 전자의 경우 E-field 방향과 반대로 움직이기에 - 부호가 붙게된다. 여기서 이동도(mobility)를 보면 $u_{n}=qt_{mn}/m_{n}^{*}$의 공식이 나오는데, 공식을 통해 유효질량 값이 작을수록 이동도의 값이 높아짐을 예상할 수 있다. 하지만 이 공식은 E-field의 값이 작은 $v_{d}$의 변화가 선형적인 구간에서만 유효하다. 이런 구간에서의 기울기 값들이 곧 u(이동도)가 된다. 그림을 보면 선형 구간에서 Si의 기울기가 GaAs보다 작다는 것을 통해 이동도가 더 작을것임도 유효질량을 통해서가 아닌 그래프를 통해서도 충분히 예..
