4.1.3 진성 캐리어 농도 진성 반도체 란 순수한 반도체로 불순물이 섞이지 않았음을 나타낸다. 만약 진성 반도체라고 가정하였을 때 열에너지가 가해지면 각각 한쌍의 전자와 정공이 생성된다. 해당 전자 & 정공 의 농도는 $n_{i}$(intrinsic carrier concentration) = $n_{0}$ = $p_{0}$ 로 서로 같은 농도를 지닌다. 또한, $E_{F}$ (페르미 에너지) 는 $E_{i}$ 혹은 $E_{Fi}$ 로 표기하고 해당 페르미 에너지 준위를 '진성 페르미 에너지' 라고 부른다. 이때 $n_{i}$의 값을 구하기 위해 $n_{0}$ 와 $p_{0}$ 을 곱하면 아래의 공식을 얻게 된다. 이 공식에서 $exp[\frac{E_{Fi}}{kT}]$ 는 소거되면서 $E_{c} - ..
