공부 노트 및 이모저모

MS junction에서 P-type, N-type에 따라, workfuction을 metal과 semicunductor 중 누가 더 높은지에 따라 두 가지 특성으로 나타낼 수 있었다. 그중 Ohminc의 경우 전류가 완만하게 잘 흐르기에 별도로 수식 전개의 필요가 없으므로 Rectifying (Blocking) 특성일 때의 수식을 전개해보도록 하겠다. 다음 사진은 zero bias 상태인 ms junction이다. 이때의 수식 해석은 pn junction과 큰 차이를 보이지 않는다. 먼저 해당 사진에서의 depletion region의 범위는 $0$ ~ $x_{n}$이고 이를 W라고 칭하겠다. 또한, pn junction에서와 마찬가지로 depletion region의 경계면은 무로 자른 듯 딱 떨어지..

이전에 reverse bias가 인가된 pn junction은 Depletion capacitance 성분을 띈다고 포스팅하였다. $C_{dep} = \frac {dQ_{dep}}{dV_{R}} [F/cm^{2}] = \frac {\varepsilon _{s}}{W}$ $W = \sqrt {\frac {2\varepsilon _{s}}{q} (\frac {1}{N_{A}} + \frac {1}{N_{D}}) (V_{bi}+V_{R})}$ 식을 통해 외부로부터 인가되는 전압이 $C_{dep}$에 반비례함을 유추할 수 있다. 따라서 위의 사진과 같이 reverse bias가 세질수록 $C_{dep}$는 감소하는 형태를 띤다. 그렇다면 forward bias가 인가된 pn junction에서의 capacita..