공부 노트 및 이모저모

Low level injection - 액세스 캐리어가 발생하여 nonequilibirum states 가 되지만 이때 낮은 수치만 주입하기에 다수 캐리어의 농도 변화에 큰 영향을 주지 못한다. 각 타입의 농도를 구할 때에는 다음 사진처럼 다수 캐리어의 농도에 액세스 캐리어의 농도는 영향력이 거의 없다는 것을 볼 수 있다. 이렇듯 다수 캐리어에는 큰 변화가 없었지만, 반대로 소수 캐리어에는 큰 변화가 일어나게 된다. 이는 간단한 예시를 통해 알아보도록 하자. a) $p_{0}$ -> $p_{0} = N_{a} = 10^{15}[cm^{-3}]$ b) $n_{0}$ -> $n_{0} = n_{i}^{2}/p_{0} = 10^{5}[cm^{-3}]$ c) $\delta p$ -> in steady-state..

4.1.3 진성 캐리어 농도 진성 반도체 란 순수한 반도체로 불순물이 섞이지 않았음을 나타낸다. 만약 진성 반도체라고 가정하였을 때 열에너지가 가해지면 각각 한쌍의 전자와 정공이 생성된다. 해당 전자 & 정공 의 농도는 $n_{i}$(intrinsic carrier concentration) = $n_{0}$ = $p_{0}$ 로 서로 같은 농도를 지닌다. 또한, $E_{F}$ (페르미 에너지) 는 $E_{i}$ 혹은 $E_{Fi}$ 로 표기하고 해당 페르미 에너지 준위를 '진성 페르미 에너지' 라고 부른다. 이때 $n_{i}$의 값을 구하기 위해 $n_{0}$ 와 $p_{0}$ 을 곱하면 아래의 공식을 얻게 된다. 이 공식에서 $exp[\frac{E_{Fi}}{kT}]$ 는 소거되면서 $E_{c} - ..